Q50I6/B0-0E  Sensore fotoelettrico 50x50  riflessione diffusa alim 10  30 Vdc  NPN PNP NO NC  Sn 2000mm Adj  Corpo PBT Conn  M12
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Q50I6/B0-0E Sensore fotoelettrico 50x50 riflessione diffusa alim 10 30 Vdc NPN PNP NO NC Sn 2000mm Adj Corpo PBT Conn M12

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Q50I6/B0-0E Sensore fotoelettrico 50x50 riflessione diffusa alim 10 30 Vdc NPN PNP NO NC Sn 2000mm Adj Corpo PBT Conn M12
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Sensore fotoelettrico 50x50, riflessione diffusa,alim. 10..30 Vdc, NPN/PNP-NO+NC, Sn =2000mm Adj. Corpo PBT, Conn. M12. 

CARATTERISTICHE TECNICHE

Corrente di carico: <=200mA
Classe IP:  IP 67
Funzione : riflessione diffusa
Modalità operativ:a Diffusione diretta
Distanza operativa: 1m
Tensione di esercizio: 10...30VCC
Tipo di uscita: PNP/NPN
Regolazione: Potenziometro
Forma del corpo: Cubo compatto 50x50mm
Materiale corpo: Plastica

Connettore sensore: M12 (4 fili)

Accettiamo Pagamento: Bonifico/Carta di credito/Paypal 

Per quantitativi / spese spedizione inviare richiesta: vendite@atistecnologie.it 

 

 

 

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